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[전자재료experiment(실험)] MOS Capacitor

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작성일 23-01-19 20:56

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[전자재료experiment(실험)] MOS Capacitor

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실험과제/전기전자
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순서

설명

- 목차 -

1. 실험 목적
···········
p. 2
2. 실험 배경
···········
p. 2
3. 실험 理論
···········
p. 2
① Si의 特性
···········
p. 2
② MOS Capacitor
···········
p. 3
③ E-Beam의 구조와 증착원리
···········
p. 8
4. 실험 방법
···········
p. 9
5. 결과 예측
···········
p. 11
6. 결과 analysis(분석)
···········
p. 12
① C-V 결과 analysis(분석)
···········
p. 12
② I-V 결과 analysis(분석)
···········
p. 16
7. conclusion
···········
p. 19
8. 출처
···········
p. 19

1. 실험 목적
MOS capacitor를 직접 제작하면서 그 공정을 이해하고, dielectric material의 두께 및 electrode의 크기를 변수로 두고 C-V와 I-V를 측정(測定) 하여 각각의 변수가 어떤 influence(영향)을 미치는지에 대하여 analysis(분석) 해 본다. 이는 이전 transistor(트랜지스터) 에 비해 저렴한 생산비와 기술적 이점을 가졌으며 성능…(투비컨티뉴드 )

다.

2. 실험 배경
1960년에 벨 연구소의 연구진은 금속 산화막 반도체 전계효과(效果) transistor(트랜지스터) (MOSFET)을 발명했다.
REPORT 73(sv75)



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